時(shí)序是表征數(shù)字芯片功能、性能的重要指標(biāo)。在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中存在著海量的時(shí)序路徑。為了保證芯片功能正確,性能達(dá)到預(yù)期,需要對電路中的時(shí)序路徑進(jìn)行時(shí)序分析。目前時(shí)序分析的手段主要有靜態(tài)時(shí)序分析和高精度時(shí)序仿真分析。
靜態(tài)時(shí)序分析具有速度快、內(nèi)存少、可窮盡等特點(diǎn),被廣泛的應(yīng)用于數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中。但對于先進(jìn)工藝或低電壓設(shè)計(jì),靜態(tài)時(shí)序分析存在著很多的局限,例如在先進(jìn)工藝或者低電壓情況下,工藝偏差會呈現(xiàn)出非高斯分布現(xiàn)象,這對建立在以高斯分布假設(shè)為基礎(chǔ)上的靜態(tài)時(shí)序分析技術(shù)產(chǎn)生了巨大影響,導(dǎo)致時(shí)序計(jì)算的精度無法適應(yīng)高精度時(shí)序分析的需求。同時(shí),先進(jìn)工藝下時(shí)序敏感性、老化等引起的時(shí)序問題對電路設(shè)計(jì)的可靠性提出了巨大挑戰(zhàn),而傳統(tǒng)的靜態(tài)時(shí)序分析方法無法有效的解決這些問題。相比靜態(tài)時(shí)序分析方法,在先進(jìn)工藝或低電壓設(shè)計(jì)條件下,時(shí)序仿真分析方法的優(yōu)勢逐步顯現(xiàn),通過對關(guān)鍵時(shí)序路徑進(jìn)行仿真不僅可以更精確的評估電路時(shí)序情況,還能快速分析電路的時(shí)序敏感性和仿真電路的老化效應(yīng)等,這種分析手段不僅突破了靜態(tài)時(shí)序分析方法的局限,也更加適應(yīng)和符合先進(jìn)工藝及低電壓設(shè)計(jì)條件下的時(shí)序分析需求。
ICExplorer-XTime?為用戶提供了面向先進(jìn)工藝和低電壓設(shè)計(jì)的高精度時(shí)序仿真分析方案,有效的解決了先進(jìn)工藝和低電壓設(shè)計(jì)靜態(tài)時(shí)序分析方法無法準(zhǔn)確評估時(shí)序和設(shè)計(jì)可靠性的難題。該工具提供了高精度時(shí)序仿真校驗(yàn)功能、電壓/溫度敏感性分析功能、快速工藝偏差分析功能和老化仿真分析功能等,為電路時(shí)序可靠性分析提供了重要支撐。
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【數(shù)字電路時(shí)序老化效應(yīng)分析】